CPU 配置
-2K×13 位片內(nèi)ROM

-80×8位片內(nèi)寄存器(SRAM)

-8級(jí)堆棧用于子程序嵌套

-5V/4 MHz 工作條件下耗電流低于1.5 mA

-3V/32kHz 工作條件下耗電流典型值為15μA

-休眠模式下耗電流典型值為2μA

I/O 端口配置
-3 組雙向I/O端口: P5, P6, P7

-18 I/O 引腳

-喚醒端口: P5

-8個(gè)可編程下拉I/O引腳(P50 ~ P57)

-16個(gè)可編程上拉I/O引腳(P50 ~ P57) (P60 ~ P67)

-8個(gè)可編程漏極開(kāi)路I/O引腳(P60 ~ P67)

-14個(gè)可編程高灌I/O引腳(P51 ~ P54, P56 ~ P57) (P60 ~P67)

-外部中斷: P60

工作電壓范圍:
-2.1V~5.5V @ 0℃~70℃ (商規(guī))

-2.3V~5.5V@ -40℃~85℃ (工規(guī))

工作頻率范圍(基于2個(gè)時(shí)鐘周期):
-晶振模式: DC ~ 16 MHz, 4.5V;DC ~ 8 MHz,3V; DC ~ 4 MHz, 2.1V

-ERC模式: DC ~ 2 MHz, 2.1V;

-IRC 模式

振蕩模式: 16 MHz, 4 MHz, 1 MHz, 8 MHz
工作電壓范圍
快速啟動(dòng)時(shí)間，在XT模式(VDD: 5V, 晶振: 4 MHz, C1/C2: 15pF)下只需0.8ms, 在IRC模式(VDD: 5V, IRC: 4 MHz)下只需10μs。

外設(shè)配置
-8位實(shí)時(shí)時(shí)鐘/計(jì)數(shù)器(TCC)，其時(shí)鐘源、邊沿觸發(fā)和溢出中斷可選

-4級(jí)可編程電壓檢測(cè)(LVD) : 4.5V, 4.0V, 3.3V, 2.2V

-上電復(fù)位和可編程電壓復(fù)位POR:1.8V(默認(rèn)), (LVR) : 4.0V, 3.5V, 2.7V

-8通道解析度為12位的模數(shù)轉(zhuǎn)換器

-一對(duì)比較器或OP(偏移電壓: 小于10mV)

-兩個(gè)脈寬調(diào)制器(PWM)，8位分辨率

10個(gè)可用中斷
-TCC 溢出中斷

-輸入端口狀態(tài)改變中斷（可喚醒休眠模式）

-外部中斷

-ADC 轉(zhuǎn)換完成中斷

-比較器狀態(tài)改變中斷

-低電壓檢測(cè)(LVD) 中斷

-PWM1~2 周期匹配中斷

-PWM1~2 占空比匹配中斷

特性:
-可編程的自由運(yùn)行看門(mén)狗定時(shí)器(4.5 ms : 18 ms)

-休眠省電模式

-上電電壓偵測(cè)器

-高抗EFT特性(4MHz及以下抗EFT性能更好)